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参数目录41692
> NTF3055L108T1G MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
型号:
NTF3055L108T1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
NTF3055L108T1G PDF
产品变化通告
Specification Change MSL Updated 2/April/2007
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
120 毫欧 @ 1.5A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
440pF @ 25V
功率 - 最大
1.3W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装
SOT-223
包装
标准包装
其它名称
NTF3055L108T1GOSDKR
查看NTF3055L108T1G代理商
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